奥伦德 奥伦德
关于我们
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关于奥伦德

奥伦德是一个历史悠久的公司,公司成立于1998年,办公地址位于广东省深圳市龙岗区天安数码城,工厂地址位于广东省江门市江海区金辉路21号,其中龙岗总公司3千平方米,江门制造中心3万平方米(仍然在扩建之中),公司人员目前一共有400多人。

旗下深圳市奥伦德元器件公司成立于2008年,是专业从事光电耦合器(Optocoupler)及其发射、接收芯片(IR/PD/PT)研发生产销售的国家高新技术企业。 是国内首批研发量产850nm/940nm红外芯片、光电耦合器的大陆企业。是目前国内光电耦合器品种最齐全,掌握核心芯片研发能力、晶圆设计能力,拥有完整的IDM产业链结构的国产化企业.

奥伦德品牌光电耦合器及光电器件现已发展为国产高端光耦品牌,分晶体管输出、施密特触发器、可控硅光耦、高速隔离运放光耦、PhotoMos SSR光耦、IGBT隔离驱动、IPM接口隔离高速光耦、光伏光耦,电流电压传感器、线性光耦及光电传感器等等类别,逾接近500品种型号,为新能源汽车、储能逆变变频、伺服工控、工业控制、5G通讯、电力电网、家电安防等各个行业提供完美的服务。 目前奥伦德品牌光电耦合器(光耦)基本实现大部分场景应用之中能够PIN TO PIN对标且覆盖欧美、日系、台系光耦。现阶段产销量综合位列国内前茅,通过未来五年公司的不断持续扩产,奥伦德将成为国际光耦知名品牌。

24
行业经验
1500
专业设备
66
发明专利
300 kk
每月产能
企业文化
Culture

行远必自迩,追求无止境

奥伦德秉承“合作、勤奋、务实”的理念,“客户至上”的原则,

共创奥伦德的新纪元

企业精神
诚信 、创新 、尊重、感恩、合作、 高效、分享、共赢、传递价值
愿景
致力于为客户提供优良产品,成 为国产光耦第一品牌
使命
聚焦客户需求,提供有竞争力的光电解决方案和服务,为客户创造价值。
核心价值观
以人为本、客户导向、开放协同、务实本分、价值创造、合作共赢
组织架构
发展历程
发展历程
行远必自迩,追求无止境

月产能已突破300KK 1.0安培输出电流IGBT栅驱动光耦合器 OR-155E即将研制完成 未完待续

2022

PhotoMOS VL=1000V输出端击穿电压光耦 OR-AQV259 PhotoMOS VL=1500V输出端击穿电压光耦 OR-AQV258 超高绝缘电压10000V输出 OR-917系列 研制完成

2021

成功研发Power triac 系列OR-X223,双通道SSR OR-8XXA, SO8L封装10MBd/s高速OR-H61L,SO8双通道10MBd/s高速OR-0631、施密特触发器OR-H11L1、等光电耦合器产品

2020
成功研发SSR OR-4XXA、IGBT系列OR-3120、OR-3150,开发及量产OR-35X系列、OR-4NXX系列、高反压达林顿系列光电耦合器产品
2019

研发及量产微型OR3XX、可控硅OR30XX、高速6N13X系列光系列

2018

量产高反压系列光电耦合器产品

2017
研制ALS 29044距离传感器、设计并量产10系列光电耦合器产品
2015

开发家电用数码管产品,开发并量产ITR8307传感器

2010

国内首家开发并量产光电耦合器产品

2007

国内首家开发成功850nm芯片并生产出超亮红芯片SR

2005

研发红外发射管、红外接收头

2003

研发成功四元芯片及940nm红外芯片

2002
研发目标
target
2021

完成晶体管输出、达林顿输出、可控硅输出的光耦对avago的全覆盖,品种覆盖率达到95%以上;

国网电表用光耦速率升级

2021 研发目标
晶体管输出覆盖率>90%
达林顿输出覆盖率>90%
可控硅输出覆盖率>90%
新产品拓展与新应用领城:

单通道 MOSFET0.52A-IGBT系列高速电表

2022

完成对SSR、IGBT的全面覆盖,覆盖率达到95%以上。

2022 研发目标
晶体管输出覆盖率>95%
达林顿输出覆盖率>95%
可控硅输出覆盖率>95%
新产品拓展与新应用领城:

15M光电数字CMOs15M高速逻辑门双通道/薄型高速、MOSFET、2.5一4A-IGBT系列(8款)、车用市场、5G通讯

2023

完善车用光耦的基础系列产品,并批量在国产汽车上使用。

2023 研发目标
开发半导体第三代材料碳化硅mos芯片
开发光电晶体管逻辑CMOs输出
具备高传输速率/低功耗/耐高温/高共模抑制
新产品拓展与新应用领城:

20MBd光电晶体管逻辑CMOs、混合式和充电式电动车多通道/薄型高速MOSFET、5c通讯、军工领域、4-5A-IGBT系列(4款)

2024

大力开发航天、航空和医疗级陶瓷封装光耦的研发,基本取代进口光耦。

2024研发目标
发展碳化硅mOs芯片
具备高导热/高响应速率/高击穿电压
具备高导热/高响应速率/高击穿电压
新产品拓展与新应用领城:

高速40MBd光电晶体管逻辑、CMOS输出(高速红外)(应用医疗器械/无人电动车)超高速MOSFET军工领域

2025

耦合器件类及光电器件类产品线纵深开发,实现耦合类器件全面替代。

2025 研发目标
发展碳化硅mOs芯片
具备高导热/高响应速率/高击穿电压承受更大电感负载
特性
新产品拓展与新应用领城:

(应用医疗器械/无人电动车)超高速多通道/薄型MOSFET军工领域

2021
2022
2023
2024
2025
荣誉资质
行远必自迩,追求无止境
Honorary certificate
The patent certifica
Certification certif
质量管控 Control
IQA
PQC
实验室
1 RSH附焊楼热 22 22 260±5℃ 5s / 3次 锡炉 JESD22-A106
2 HTSL高温储存 77 125°C 168hrs / 500hrs / 1000hrs 高温烤箱 JESD22-A103
3 LTSL低温储存 77 -55℃ 168 hrs / 500 hrs / 1000 hrs 低温箱测试仪 JESD22-A119
4 TC温度循环 77 H:125℃ 15min /∫5min / L:-55℃ 15mi 300 cycle 冷热冲击机 JESD22-A104
5 TS温度冲击 77 H:100℃ 5min /∫15s / L:-40℃ 5min 300 cycle 冷热冲击机 JESD22-A106
6 TS温度冲击 77 H:100℃ 5min /∫15s / L:-40℃ 5min 300 cycle 高温烤箱测试仪、老化电路板 MIL-STD-750 Method 1037
7 THB高温高湿 77 T:85℃ / RH:85% 168 hrs / 500 hrs / 1000 hrs 恒温恒湿机测试仪 JESD22-A101
8 ESD-HBM人体模式 22 ≥8KV 96h ESD静电测试仪 JESD22-A114
9 RSH附焊楼热 22 Pb-free 260±5℃ 10S / 1次 锡炉 JESD22-B102
10 HTSL高温储存 77 HTRB / @125℃ / Vce=60v 168hrs / 500hrs / 1000hrs 高温烤箱 JESD22-A103
11 LTSL低温储存 77 H3TB / 85℃,85%RH / Vce=60v 168 hrs / 500 hrs / 1000 hrs 恒温恒湿机 / 测试仪 JESD22-A101
12 TC温度循环 77 Ta=121℃ / 100%RH / 2atm 96h 压力锅 JESD22
公司在开发新产品、物料导入时,均会进行相应的可靠性试验,目前光耦已达到工业级水平。          周期性试验的周期为6个月。
办公&车间环境
合作伙伴
中兴
H3C
大唐集团
Midea
海尔
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中国中车
中国通号
林洋能源
威胜集团
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中控
HOSON
伟创电气
BYD
航嘉
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宇视科技
中控
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华为
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